影响氮化铝陶瓷基板的热导率的因素有哪些
编辑：转自：先进陶瓷材料
发布时间：2024-07-26
AlN是一种结构稳定且具有六方纤锌矿结构，无其他同质异型物存在的共价键型化合物。它的晶体结构是由铝原子和临近的氮原子歧变产生的AlN4四面体为结构单元；空间群为P63mc，属于六方晶系。
(2)热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体硅材料(3.5-4.0×10-6/℃)匹配; (4)电性能优良,具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗; (5)可以进行多层布线,实现封装的高密度和小型化; 在300K下，AlN单晶材料理论热导率高达319W/(m·K)，但是在实际生产过程中，由于材料的纯度、内部缺陷（位错、气孔、杂质、点阵畸变）、晶粒取向和烧结工艺等各种因素的影响，其热导率也会受影响，常常低于理论值。
单晶AlN的热传导机理是声子传热，所以AlN的导热性能可能主要受晶体中的晶界、界面、第二相、缺陷、电子及声子本身对其散射控制的影响。由晶格固体振动论可知，声子散射与热导率λ的关系式为：
式中c为热容，v为声子平均速度，l为声子平均自由程。从上式可知，氮化铝的热导率λ与声子的平均自由程l成正比，l越大，热导率越高。从微观结构来看，声子与声子之间的相互作用、声子与杂质、晶界缺陷的相互作用，均会引发散射，会对声子的平均自由程产生影响，从而影响其热导率。AlN的微观结构对其热导率影响较大，若想获得高热导率的氮化铝陶瓷，尽量要使氮化铝晶体缺陷少，杂质含量少。研究表明：AlN和氧的亲和力很强，易氧化，导致其表面易生成氧化铝膜，由于Al2O3中氧原子的溶入，取代了AlN中的氮原子的位置，产生了铝空位，形成了氧缺陷，具体反应如下： 式中ON为氧原子取代氮化铝晶格中的氮的位置，VAl为铝空位。形成的铝空位散射声子，导致声子的平均自由程降低，所以AlN基板的热导率也会降低。研究得出结论：AlN晶格中的缺陷种类和氧原子浓度有关。●当氧浓度低于 0.75%时，氧原子均匀散布在AlN晶格中，取代着AlN中氮原子的位置，铝空穴伴随而生；●当氧浓度不低于 0.75%时，AlN晶格中的铝原子的位置会发生变化，铝空位消失，产生八面体缺陷；★当氧原子浓度更高时，其晶格产生多型体、反演畴、含氧层错等延展缺陷。以热力学为切入点，研究发现氮化铝晶格中氧的量受铝酸盐反应吉布斯自由能|ΔG°|的影响，|ΔG°|越大，氮化铝晶格中的氧越少，因而就会有更高的热导率。由此可见AlN的热导率受氧杂质的影响较为严重，氧杂质的存在是其热导率降低的重要原因。为了提高AlN热率，通常会选择在烧结时加入所需的助烧剂以达到降低烧结温度、去除晶格中的氧进而实现提高 AlN 热导率的目的。
目前关注较多的是多元复合烧结助剂的添加，经实验发现，在AlN中增加复合助烧剂Y2O3-Li2O、Y2O3-CaC2、Y2O3-CaF2、Y2O3-Dy2O3时，可以获得较为致密、氧杂质及第二相均较少的AlN样品。
选择合适的复合体系的烧结助剂可以实现AlN较低的烧结温度和有效净化晶界，获得具有较高热导率的AlN。1.大功率LED用高热导率氮化铝陶瓷基座的制备与封装研究-李宏伟
2.功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究-陈科成
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